如何进行移相全桥LLC模态分析以优化电源性能？

一、拓扑结构

二、工作波形图

三、模态分析

①在模态[t0-,t0+]时刻

​ 在t0时刻之前，Q1 和Q2 导通，Q3 和 Q4 截止，加在 A、B 两点的电压为 0，L_r、C_r和L_m共同谐振，谐振电感电流i_Lr与励磁电感电流i_Lm相等，并流过Q1 和Q2，变压器原副边均无电流，负载由输出电容供电。

②在模态[t0,t1]时刻

​

​ t0时刻，关断Q2，此时谐振电感电流i_L给C2充电，同时给C4放电，此时有一部分电流流向如绿线所示，由于C4放电，那么只能从C3抽电荷，并且励磁电流会补充C3的电荷。由于C2和 C4的缓冲作用，Q2是零电压关断。由于这段时间很短，可近似认为i_Lr和i_Lm均保持不变，负载依然由输出电容供电。

③在模态[t1,tx]时刻

​ 在t1+时刻，C2 电压上升到V_in，C4的电压下降到零，反并二极管 D4 导通，这时可以零电压开通Q4。此时，V_AB=V_in，i_Lr、i_Lm开始增加(反向减小)，i_Lr增加较快(反向减小)，整流管DR1 和 DR4 导通，将变压器副边电压箝在 V_o，相应的，变压器原边电压为 nV_o，i_Lm线性增加。而(V_in－nV_o)加在 L_r和 C_r组成的谐振网络上，L_r和C_r谐振工作。

​ 这里有个点要注意的，波形图中，Q4开通的时间正好在t1，我觉得可以在t1~tx之间都能开启，此时分两种管子，如果是IGBT,那么在t1-tx之间是否开通管子，电流都流过D4体二极管，但是如果是SiC的MOS管，电流就会流过阻抗更低的管子。